新聞動(dòng)態(tài)
NEWS滄州潤(rùn)澤電子設(shè)備有限公司
電話:0317-4816121
手機(jī):13502198403 13082177796
聯(lián)系人:梁經(jīng)理
地址:河北省滄州市滄州經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)開曙街20號(hào)7號(hào)樓西門
咨詢QQ:854999217
郵箱:854999217@qq.com
網(wǎng)址:http://goocity.cn
In2O3是直接躍遷寬禁帶半導(dǎo)體資料,其晶體結(jié)構(gòu)是立方鐵錳礦結(jié)構(gòu)。由于在In2O3構(gòu)成過程中沒有構(gòu)成完好的理想化學(xué)配比結(jié)構(gòu),結(jié)晶結(jié)構(gòu)中短少氧原子(氧空位) ,因此存在過剩的自在電子,表現(xiàn)出一定的電子導(dǎo)電性。同時(shí),如果使用高價(jià)的陽離子如Sn摻雜在In2O3 晶格中代替In^3+的位置,則會(huì)添加自在導(dǎo)電電子的濃度,從而進(jìn)步氧化銦的導(dǎo)電性。
在ITO薄膜中,Sn一般以Sn^2+或Sn^4+的方式存在,由于In在In2O3中是正三價(jià),Sn^4+的存在將提供一個(gè)電子到導(dǎo)帶,相反Sn^2+的存在將下降導(dǎo)帶中電子的密度。別的,SnO自身呈暗褐色,對(duì)可見光的透過率較差。在低溫沉積過程中,Sn在ITO中主要以SnO的方式存在,導(dǎo)致較低的載流子濃度和高的膜電阻。通過退火處理,一方面能促進(jìn)SnO向SnO2轉(zhuǎn)變,使薄膜進(jìn)一步氧化,另一方面促進(jìn)薄膜中多余的氧脫附,從而到達(dá)下降膜電阻,進(jìn)步膜的可見光透過率的意圖。